三星重磅宣布：2025年量產(chǎn)2nm工藝

 　　6月13日消息，三星電子在加利福尼亞州圣何塞舉辦的2024年三星晶圓代工論壇年度博覽會(huì)上宣布了一項(xiàng)引人注目的計(jì)劃：該公司將于2025年量產(chǎn)2nm（納米）工藝芯片，這一技術(shù)突破預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)將邁入全新的發(fā)展階段。

　　三星此次公布的2nm工藝不僅代表了半導(dǎo)體制造工藝的尖端水平，更體現(xiàn)了其在技術(shù)研發(fā)方面的深厚積累。據(jù)悉，三星的2nm工藝布局了多個(gè)節(jié)點(diǎn)，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等，這些節(jié)點(diǎn)均采用了先進(jìn)的技術(shù)和材料，以確保芯片在性能、功耗和集成度方面達(dá)到最優(yōu)。

　　其中，SF2Z作為最先進(jìn)的2nm工藝節(jié)點(diǎn)，計(jì)劃于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)商用。該節(jié)點(diǎn)采用了先進(jìn)的后端供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，從而提高電源效率。此外，SF2Z還進(jìn)一步完善了多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu)，與基于FinFET的工藝技術(shù)相比，晶體管性能提升了11%-46%，可變性降低26%，同時(shí)漏電降低約50%。

　　除了2nm工藝外，三星還計(jì)劃在2027年量產(chǎn)1.4nm芯片，并為此做好了充分的技術(shù)儲(chǔ)備。該公司表示，GAA（全環(huán)繞柵極）工藝技術(shù)將在支持客戶(hù)發(fā)展人工智能方面發(fā)揮重要作用。基于GAA技術(shù)演進(jìn)，三星計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)第二代3nm工藝（SF3），并計(jì)劃在即將推出的2nm工藝上采用GAA。

　　此外，三星還宣布成立全新的“多芯片集成（MDI）聯(lián)盟”，與合作伙伴公司以及內(nèi)存、基板封裝和測(cè)試領(lǐng)域的主要企業(yè)合作，共同推動(dòng)芯片堆疊技術(shù)的創(chuàng)新。該聯(lián)盟將通過(guò)形成2.5D、3D異構(gòu)集成封裝技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)，引領(lǐng)下一代封裝技術(shù)的發(fā)展。

　　為了進(jìn)一步優(yōu)化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內(nèi)核的性能和效率，三星在今年2月宣布與Arm展開(kāi)合作。雙方將共同開(kāi)發(fā)基于最新的GAA晶體管技術(shù)的芯片產(chǎn)品，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高性能、低功耗芯片的需求。這一合作將進(jìn)一步加強(qiáng)三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

　　三星此次宣布的2nm工藝量產(chǎn)計(jì)劃以及一系列戰(zhàn)略布局和技術(shù)合作，不僅彰顯了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力和技術(shù)積累，也預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展空間。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，我們有理由相信，未來(lái)的半導(dǎo)體行業(yè)將更加精彩紛呈。