什么是內存時序 內存時序設置詳解(3)

　　RAS to CAS Delay(tRCD)

　　可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

　　該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時，系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。

　　如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。

　　Min RAS Active Timing(tRAS)

　　可選的設置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

　　該值就是該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的最后一個參數，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內存行有效至預充電的最短周期”，調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5-10之間。這個參數要根據實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。

　　如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內存錯誤或系統(tǒng)死機，則應該增大tRAS的值。

　　如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。

　　Row Precharge Timing(tRP)

　　可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

　　該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第3個參數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。

　　tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，內存控制器不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機來說，推薦預充電參數的值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。

　　如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數。 ?