什么是內(nèi)存時(shí)序 內(nèi)存時(shí)序設(shè)置詳解

 　　什么是內(nèi)存時(shí)序?內(nèi)存時(shí)序怎么設(shè)置?

　　內(nèi)存時(shí)序簡(jiǎn)介

　　內(nèi)存時(shí)序是描述內(nèi)存條性能的一種參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD中。

　　一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次為：CAS Latency(簡(jiǎn)稱CL值)內(nèi)存CAS延遲時(shí)間，它是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會(huì)把CL值印在內(nèi)存條的標(biāo)簽上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間; RAS Precharge Delay(tRP)，內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間; Row Active Delay(tRAS)，內(nèi)存行地址選通延遲。這是玩家最關(guān)注的4項(xiàng)時(shí)序調(diào)節(jié)，在大部分主板的BIOS中可以設(shè)定，內(nèi)存模組廠商也有計(jì)劃的推出了低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲型超頻內(nèi)存模組，在同樣頻率設(shè)定下，最低“2-2-2-5”這種序列時(shí)序的內(nèi)存模組確實(shí)能夠帶來(lái)比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能，幅度在3至5個(gè)百分點(diǎn)。

　　內(nèi)存時(shí)序參數(shù)簡(jiǎn)介

　　存取時(shí)序

　　上面的表格展示的是一次普通的DRAM存儲(chǔ)周期。首先，行地址信息會(huì)被送到DRAM中，經(jīng)歷了tRCD這段時(shí)間之后，行地址已經(jīng)進(jìn)行了“選通”。由于現(xiàn)在的存儲(chǔ)器一般是SDRAM，我們可以一次多多個(gè)列提取信息，而每一次讀取需要tCAS(R)這么多的時(shí)間。當(dāng)列操作結(jié)束時(shí)，DRAM需要tRP這么多的時(shí)間進(jìn)行預(yù)充電，以便為下一次存取操作做準(zhǔn)備。而一般來(lái)說(shuō)，tRAS > tRCD + tCAS + 2，這是因?yàn)樾枰糇銐虻臅r(shí)間給存取的數(shù)據(jù)去“流動(dòng)”。經(jīng)過(guò)這樣的了解，我們可以通俗的理解這幾個(gè)參數(shù)：

　　tCAS：列尋址所需要的時(shí)鐘周期(周期的數(shù)量表示延遲的長(zhǎng)短)

　　tRCD：行尋址和列尋址時(shí)鐘周期的差值

　　tRP：在下一個(gè)存儲(chǔ)周期到來(lái)前，預(yù)充電需要的時(shí)鐘周期

　　tRAS：對(duì)某行的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)時(shí)，從操作開(kāi)始到尋址結(jié)束需要的總時(shí)間周期 ?