臺(tái)積電稱iPhone 8上的A12芯片或采用7nm工藝

　　芯片制造商臺(tái)積電(TSMC)今天表示，正與ARM合作開(kāi)發(fā)7納米FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)芯片制造工藝，最快將在2018用于生產(chǎn)蘋(píng)果iPhone 8上的A12芯片組。

　　根據(jù)臺(tái)積電公布的時(shí)間表，7納米FinFET工藝芯片將在明年投產(chǎn)，而大規(guī)模生產(chǎn)則需要一段時(shí)間，最早可能將于2018年正式量產(chǎn)，按照慣例，蘋(píng)果iPhone 8將會(huì)在2018年亮相，其的搭載A12處理器或?qū)⒉捎门_(tái)積電7納米工藝制造。

　　更先進(jìn)的制程工藝意味著在更小的芯片上集成更多的晶體管，這將可以降低功耗。而FinFET技術(shù)通過(guò)改善晶體管的電路控制，減少漏電流，讓處理器更加省電。

　　目前，iPhone 6s上A9芯片由臺(tái)積電和三星共同生產(chǎn)，其中臺(tái)積電采用16納米制程，而三星版A9則是14納米工藝。同時(shí)，有消息稱iPhone 7上的A10芯片將全部由臺(tái)積電代工，依然是16納米工藝。

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